依据TrendForce集邦咨询最新查询,存储器模组厂从2023年第三季后开端活跃添加DRAM(内存)库存,到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。但是,消费电子需求未如预期回温,如智能手机范畴已呈现整机库存过高的状况,笔电商场也因为顾客等待AI PC新产品而推迟购买,商场继续萎缩。这种状况下,以消费产品为主的存储器现货价格开端走弱,第二季价格较第一季跌落超越30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩,但也暗示合约价的潜在趋势。
TrendForce集邦咨询表明,2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash(闪存)零售途径的出货量已大幅年减40%,反映出全球消费性存储器商场正面对严峻应战。存储器工业虽一贯受周期要素影响,但本年上半年的出货下滑显着超出商场预期,这预示着下半年的需求不会大幅回温。
通货膨胀和利率攀升等要素冲击顾客开销志愿,直接导致消费类存储器模组的出货量下降。此外,NAND Flash wafer(晶圆)价格继续上涨,使得模组厂的营运本钱大起伏的添加。但是,因为终端产品价格一定要坚持吸引力以影响消费需求,模组厂无法反映添加的本钱,赢利空间进一步被紧缩。
TrendForce集邦咨询指出,现在还未清晰观察到AI手机或AI PC在接下来几季能有合理的使用呈现,即便浸透率因平台商推行而有所提高,也难以带起全面换机潮,因而无法带动DRAM价格。
从2025年的状况去看,尽管预期DRAM价格会逐季上扬,但原因是HBM3e(第五代高带宽内存)浸透率继续提高拉高均价,以及供应端缺少新产能而有所约束。假如消费性需求继续疲软,DRAM价格继续上涨的起伏将低于预期。
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